什么叫歐姆接觸

這篇文章主要介紹了什么是歐姆接觸? 實現歐姆接觸的方法有哪些?，具有一定借鑒價值，需要的朋友可以參考下。希望大家閱讀完這篇文章后大有收獲，下面讓小編帶著大家一起了解一下。

請問各位，歐姆接觸與肖特基接觸有什么不同？如何區別？

1、定義不同

歐姆接觸是指在接觸處是一個純電阻，而且該電阻越小越好，使得組件操作時，大部分的電壓降在活動區而不在接觸面。因此，其I-V特性是線性關系，斜率越大接觸電阻越小，接觸電阻的大小直接影響器件的性能指標。

肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘。勢壘的存在才導致了大的界面電阻。

2、勢壘不同

歐姆接觸的界面處勢壘非常小或者是沒有接觸勢壘。

而肖特基接觸存在較大的接觸勢壘。

3、形成條件不同

欲形成歐姆接觸，有兩個先決條件：一是金屬與半導體間有低的勢壘高度，二是半導體有高濃度的雜質摻入(N _10EXP12 cm-3)。前者可使界面電流中熱激發部分(Thermionic Emission)增加;后者則使半導體耗盡區變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同時使Rc阻值降低。

肖特基結是一種簡單的金屬與半導體的交界面，它與PN結相似，具有非線性阻抗特性。在界面處半導體的能帶發生彎曲，形成一個高勢能區，這就是肖特基壘。電子必須高于這一勢壘的能量才能越過勢壘流入金屬。當平衡時，肖特基勢壘的高度是金屬和半導體的逸出功的差值。

參考資料來源：百度百科-歐姆接觸。

百度百科-肖特基接觸

整流接觸和歐姆接觸的區別和用途

整流接觸：是特定金屬與輕摻雜半導體（大多為N型硅）接觸，又叫肖特基接觸；具有與PN相似的性能，但屬于單極性器件。 歐姆接觸：是特定金屬與重摻雜半導體或功函數低的半導體接觸，它具有雙向導通性，接觸電阻可忽略。

歐姆接觸是如何形成的？

欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：

（1）金屬與半導體間有低的界能障礙。

（2）半導體有高濃度的雜質摻入。

前者可使界面電流中熱激發部分增加，后者則使半導體耗盡區變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同時使Rc阻值降低。

擴展資料：

半導體重摻雜時，它與金屬的接觸近似地有線性的和對稱的電流一電壓關系，并且有較小的接觸電阻，因而是接近理想的歐姆接觸。

制作歐姆接觸最常用的方法是，用重摻雜的半導體與金屬接觸，例如金屬-n+-n和金屬-p+-P結構。由于有n+、p+層，金屬的選擇就比較自由，可以考慮工藝上以及使用要求上的問題。形成金屬與半導體接觸的方法有許多種，例如蒸發、濺射、電鍍等等。

光伏里金屬化什么是歐姆接觸

歐姆接觸器是一種主要用于太陽能光伏里的金屬化設備，它能夠將電流、電壓和功率之間進行轉換。歐姆接觸器可以直接連接到太陽能光伏板上，通過電力控制，在太陽光照射強度不斷變化時保持電流和功率的穩定性，保護電路免于損壞。

歐姆接觸電極是什么

兩個導體由施加的外力的作用而接觸，稱為歐姆接觸。電極可以是任何導電材料。

比接觸電阻率是什么，在線等？

比接觸電阻率是對某一電流下的接觸電阻，對歐姆接觸而言各個電流下相同，而肖特基接觸，因為I-V曲線彎曲著，各個電流下的接觸電阻不同。

一般實驗中很少是絕對的歐姆接觸,也很少是絕對的肖特基接觸。

歐姆接觸是指接觸電阻小于體電阻，接觸不影響材料本身的電學性能。而肖特基接觸則是另外的接觸。當接觸電阻遠小于體電阻時，認為他是歐姆接觸。當接觸電阻接近體電阻時，可以認為是肖特基接觸。

什么是半導體器件的隧道結？

不能這么說吧，超導體怎么跑到半導體器件來了？

實際上樓上講的絕緣層電阻極具減小就是因為發生了量子隧道效應吧。

一個半導體器件，在與金屬接觸（或形成PN結）時，如果是重參雜，那么金屬與半導體之間的電阻非常小，也不再出現整流效應，因為電子可以依據隧道效應穿透金半接觸時的勢壘層，這個叫歐姆接觸，形成的結也叫隧道結。

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